METHODS FOR ETCHING SILICON-BASED ANTIREFLECTIVE LAYERS

• Main Authors: PENDER, JEREMIAH T, ZHOU, QINGJUN, ZHOU, YIFENG, ARMACOST, MICHAEL D, PATZ, RYAN
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 27.10.2011
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Methods for etching silicon-based antireflective layers are provided herein. In some embodiments, a method of etching a silicon-based antireflective layer may include providing to a process chamber a substrate having a multiple-layer resist thereon, the multiple-layer resist comprising a patterned photoresist layer defining features to be etched into the substrate disposed above a silicon-based antireflective coating; and etching the silicon-based antireflective layer through the patterned photoresist layer using a plasma formed from a process gas having a primary reactive agent comprising a chlorine-containing gas. In some embodiments, the chlorine-containing gas is chlorine (Cl2). Procédés de gravure de couches antireflets à base de silicium. Dans certains modes de réalisation, un procédé de gravure d'une couche antireflets à base de silicium peut comprendre l'introduction dans une chambre de procédé d'un substrat portant une réserve multicouche sur sa surface, ladite réserve multicouche comprenant une couche de photoréserve à motifs définissant les caractéristiques à graver dans le substrat qui se trouve au-dessus d'un revêtement antireflets à base de silicium ; et la gravure de la couche antireflets à base de silicium à travers la couche de photoréserve à motifs à l'aide d'un plasma formé à partir d'un gaz de procédé contenant un agent réactif primaire comprenant un gaz chloré. Dans certains modes de réalisation, le gaz chloré est le chlore (Cl2).