SPUTTER TARGET HAVING STEPPED STRUCTURE AND SPUTTERING DEVICE USING SAME

• Main Authors: PARK, YOUNGUN, KIM, JIN-TAEK
• Format: Patent
• Language: English; French; Korean
• Published: 26.01.2012
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

According to the present invention, a sputter target comprises: a plurality of concave parts formed to have constant depth (H) and width (L) inward from the surface of the sputter target, which faces a plasma discharge space, and to be surrounded by lateral walls; and a stepped structure constructed by regularly arranging the plurality of concave parts. According to the present invention, the sputter target having a stepped structure is configured such that the directionality of a sputtered particle beam is adjusted by the size of the stepped structure of a surface, which makes it possible to deposit a high-stepped structure required in a process. In addition, the sputtering device according to the present invention is processed such that the target itself supplied with power has a stepped structure, so that it is possible to adjust the linearity of a particle sputtered by the target itself, without a limiter provided to improve the linearity of sputtered particles. La présente invention a pour objet une cible de pulvérisation cathodique comprenant : une pluralité de parties concaves formées pour avoir une profondeur (H) et une largeur (L) constantes vers l'intérieur depuis la surface de la cible de pulvérisation cathodique, qui fait face à un espace de décharge de plasma, et pour être entourées par des parois latérales ; et une structure étagée construite par la disposition régulière de la pluralité de parties concaves. Selon la présente invention, la cible de pulvérisation cathodique ayant une structure étagée est conçue de telle sorte que la directionnalité d'un faisceau de particules pulvérisé de manière cathodique soit ajustée par la taille de la structure étagée d'une surface, ce qui rend possible le dépôt d'une structure hautement étagée requise dans un procédé. En outre, le dispositif de pulvérisation cathodique selon la présente invention est traité de telle sorte que la cible elle-même alimentée en énergie ait une structure étagée, de sorte qu'il soit possible d'ajuster la linéarité d'une particule pulvérisée de manière cathodique par la cible elle-même, sans un limiteur fourni pour améliorer la linéarité des particules pulvérisées de manière cathodique.