ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE
Disclosed is an organic semiconductor device wherein an organic semiconductor layer is prevented from deteriorating. The organic semiconductor device is provided with: a substrate (11); a gate electrode (12) formed on the substrate; a gate insulating film (13) formed on the gate electrode; a drain e...
Saved in:
Main Author | |
---|---|
Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
20.10.2011
|
Subjects | |
Online Access | Get full text |
Cover
Loading…
Summary: | Disclosed is an organic semiconductor device wherein an organic semiconductor layer is prevented from deteriorating. The organic semiconductor device is provided with: a substrate (11); a gate electrode (12) formed on the substrate; a gate insulating film (13) formed on the gate electrode; a drain electrode (14) formed on the gate insulating film; an annular source electrode (15) which is formed to surround the drain electrode; the organic semiconductor layer (17) formed on the gate insulating film, said gate insulating film being in the region surrounded by the source electrode; a conductive guide member (16) formed on the gate insulating film, said conductive guide member being on the outside of the source electrode; and a protection film (18) formed in the region surrounded by the conductive guide member.
L'invention concerne un dispositif semi-conducteur organique qui permet d'empêcher la détérioration d'une couche semi-conductrice organique. Le dispositif semi-conducteur organique comporte : un substrat (11) ; une électrode de grille (12) formée sur le substrat ; un film d'isolant de grille (13) formé sur l'électrode de grille ; une électrode de drain (14) formée sur le film d'isolant de grille ; une électrode de source annulaire (15) qui entoure l'électrode de drain ; la couche semi-conductrice organique (17) formée sur le film d'isolant de grille, ledit film d'isolant de grille se situant dans la région entourée par l'électrode de source ; un élément de guidage conducteur (16) formé sur le film d'isolant de grille, ledit élément de guidage conducteur se situant sur l'extérieur de l'électrode de source ; et un film de protection (18) formé dans la région entourée par l'élément de guidage conducteur. |
---|---|
Bibliography: | Application Number: WO2010JP02658 |