PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Disclosed is a simplified method for manufacturing a photoelectric conversion device with improved conversion efficiency. A photoelectric conversion device (200) comprises: a transparent substrate (30); a transparent electrode layer (32) formed on the surface of the transparent substrate (30); a pho...

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Main Author KIRIYAMA TATSUYA
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 13.10.2011
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Summary:Disclosed is a simplified method for manufacturing a photoelectric conversion device with improved conversion efficiency. A photoelectric conversion device (200) comprises: a transparent substrate (30); a transparent electrode layer (32) formed on the surface of the transparent substrate (30); a photoelectric conversion layer (34) formed in such a way as to cover the transparent electrode layer (32) and the transparent substrate (30) in the region of slits (S1) where the transparent electrode layer (32) has been removed; and a rear-face electrode layer (38) that covers the photoelectric conversion layer (34) and the regions of the slits (S2) on the transparent electrode (32) where the photoelectric conversion layer (34) has been removed. A no-electrode region (S4) is provided within the region of the slits (S2) where the transparent electrode layer (32) is exposed and no rear-face electrode layer (38) is formed in the direction in which the slits (S2) run. La présente invention se rapporte à un procédé simplifié de fabrication d'un dispositif de conversion photoélectrique qui présente une meilleure efficacité de conversion. Un dispositif de conversion photoélectrique (200) comprend : un substrat transparent (30) ; une couche d'électrode transparente (32) formée sur la surface du substrat transparent (30) ; une couche de conversion photoélectrique (34) formée de manière à recouvrir la couche d'électrode transparente (32) et le substrat transparent (30) dans la région des fentes (S1) où a été enlevée la couche d'électrode transparente (32) ; et une couche d'électrode de face arrière (38) qui recouvre la couche de conversion photoélectrique (34) et les régions des fentes (S2) sur l'électrode transparente (32) où a été enlevée la couche de conversion photoélectrique (34). Une région sans électrode (S4) est agencée dans la région des fentes (S2) où la couche d'électrode transparente (32) est exposée et aucune couche d'électrode de face arrière (38) n'est formée dans la direction dans laquelle se présentent les fentes (S2).
Bibliography:Application Number: WO2011JP58381