SPUTTERING DEVICE

• Main Authors: IMAKITA, KENICHI, KIKUCHI, YUKIO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 06.10.2011
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

Disclosed is a sputtering device provided with a substrate stage (14), which rotates a substrate (S) having a surface on which a film is to be formed, in a vacuum vessel (11). A target (TA) that has a sputtering surface (TAs) formed from magnesium oxide is provided in a circumferential direction from the substrate (S). When the angle formed by the normal line (Ls) to the substrate and the normal line (Lt) to the target is described as the angle of inclination ? for the target (TA), the target (TA) is disposed such that the angle of inclination ? satisfies 50 + f < ? < -35 + f. Here, f is an angle represented by f = arctan(W/H); H represents the height from the center of the substrate (S) to the center of the target (TA); and W represents the width from the center of the substrate (S) to the center of the target (TA). La présente invention se rapporte à un dispositif de pulvérisation qui est pourvu d'une étape de substrat (14) qui fait tourner dans un récipient sous vide (11) un substrat (S) ayant une surface sur laquelle doit être formé un film. Une cible (TA) qui possède une surface de pulvérisation (TAs) formée d'oxyde de magnésium, est disposée dans une direction circonférentielle à partir du substrat (S). Lorsque l'angle formé par la ligne normale (Ls) jusqu'au substrat (S) et la ligne normale (Lt) jusqu'à la cible est décrit comme étant l'angle d'inclinaison (?) pour la cible (TA), la cible (TA) est disposée de telle sorte que l'angle d'inclinaison (?) satisfasse la formule : 50 + f < ? < -35 + f. Donc, f est un angle représenté par f = arctan (W/H); H représente la hauteur depuis le centre du substrat (S) jusqu'au centre de la cible (TA); et W représente la largeur depuis le centre du substrat (S) jusqu'au centre de la cible (TA).