ELECTRONIC DEVICES AND SYSTEMS, AND METHODS FOR MAKING AND USING THE SAME

• Main Authors: THOMPSON, SCOTT, E, THUMMALAPALLY, DAMODAR, R
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 25.08.2011
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A suite of novel structures and methods is provided to reduce power consumption in a wide array of electronic devices and systems. Some of these structures and methods can be implemented largely by reusing existing bulk CMOS process flows and manufacturing technology, allowing the semiconductor industry as well as the broader electronics industry to avoid a costly and risky switch to alternative technologies. As will be discussed, some of the structures and methods relate to a Deeply Depleted Channel (DDC) design, allowing CMOS based devices to have a reduced aV'r compared to conventional bulk CMOS and can allow the threshold voltage V T of FETs having dopants in the channel region to be set much more precisely. The DDC design also can have a strong body effect compared to conventional bulk CMOS transistors, which can allow for significant dynamic control of power consumption in DDC transistors. L'invention concerne une suite de structures et de procédés innovants pour réduire la consommation d'une large gamme de dispositifs et systèmes électroniques. Certains de ces structures et de ces procédés peuvent être implémentés largement en réutilisant les flux de processus et la technologie de fabrication CMOS de type bulk, permettant à l'industrie des semi-conducteurs ainsi qu'à l'industrie plus large de l'électronique d'éviter un passage coûteux et risqué à des technologies alternatives. Comme on en discutera, certains des structures et procédés concernent une conception à canal fortement appauvri (DDC), permettant à des dispositifs à base CMOS de présenter un aV'r réduit par rapport aux CMOS de type bulk conventionnels et peuvent permettre de définir plus précisément la tension de seuil VT de FET comportant des dopants dans la zone de canal. La conception DDC permet aussi d'obtenir un fort effet de corps comparé aux transistors CMOS de type bulk conventionnels, ce qui peut permettre un contrôle dynamique significatif de la consommation dans les transistors DDC.