A METHOD OF FORMING A BONDED STRUCTURE

• Main Authors: PREMACHANDRAN, CHIRAHARIKATHU VEEDU SANKARAPILLAI, XIE, LING, BAI, KEWU, ONG, SIONG CHIEW JOE, CHOI, WON KYOUNG, LIAO, EBIN
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 18.08.2011
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS; PRINTED CIRCUITS; SEMICONDUCTOR DEVICES

In an embodiment, a method of forming a bonded structure is provided. The method may include forming at least one first under bump metallurgy (UBM) structure on a first substrate, forming a first gold layer on the at least one first under bump metallurgy structure; forming a tin layer on the first gold layer, forming an indium layer on the tin layer, forming an inhibition layer configured to inhibit oxygen penetration on the indium layer, and forming at least one second under bump metallurgy structure on a second substrate, forming s second gold layer on the at least one second under bump metallurgy structure; and bringing the inhibition layer into contact with the second gold layer at a predetermined temperature to form a resultant intermetallic structure between the first substrate and the second substrate thereby bonding the first substrate to the second substrate and forming the bonded structure. Un mode de réalisation de l'invention porte sur un procédé de formation d'une structure attachée. Le procédé peut mettre en oeuvre la formation d'au moins une première structure de métallurgie sous bosse (UBM) sur un premier substrat, la formation d'une première couche d'or sur la ou les premières structures de métallurgie sous bosse; la formation d'une couche d'étain sur la première couche d'or, la formation d'une couche d'indium sur la couche d'étain, la formation d'une couche d'inhibition configurée de façon à inhiber la pénétration d'oxygène sur la couche d'indium, et la formation d'au moins une seconde structure de métallurgie sous bosse sur un second substrat, la formation d'une seconde couche d'or sur la ou les secondes structures de métallurgie sous bosse; et le fait d'amener la couche d'inhibition en contact avec la seconde couche d'or à une température prédéterminée afin de former une structure intermétallique résultante entre le premier substrat et le second substrat, de façon à attacher ainsi le premier substrat au second substrat et à former ainsi la structure attachée.