METHOD OF CONTROLLING TRENCH MICROLOADING USING PLASMA PULSING

• Main Authors: LEE, GENE H, YANG, LIMING, YANG, CHANSYUN DAVID
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 10.11.2011
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Methods and apparatus for controlling microloading, such as within cell microloading between adjacent cells or isolated / dense microloading between areas of isolated or dense features during shallow trench isolation (STI) fabrication processes, or other trench fabrication processes, are provided herein. In some embodiments, a method for fabricating STI structures may include providing a substrate having a patterned mask layer formed thereon corresponding to one or more STI structures to be etched; etching the substrate through the patterned mask layer using a plasma formed from a process gas to form one or more STI structure recesses on the substrate; and pulsing the plasma for at least a portion of etching the substrate to control at least one of a depth or width of the one or more STI structure recesses. L'invention concerne des procédés et un appareil pour le contrôle du microchargement, tel que le microchargement dans une cellule entre des cellules adjacentes ou le microchargement isolé/dense entre des zones à caractéristiques isolées ou denses pendant des procédés de fabrication STI (Shallow Trench Isolation), ou d'autres procédés de fabrication de tranchées. Selon certains modes de réalisation, un procédé de fabrication de structures STI peut comprendre la mise à disposition d'un substrat sur lequel une couche de masque à motifs est formée, correspondant à une ou plusieurs structures STI à graver ; la gravure du substrat au travers de la couche de masque à motifs en utilisant un plasma formé à partir d'un gaz de procédé pour former un ou plusieurs retraits de structure STI sur le substrat ; et l'impulsion du plasma pendant au moins une partie de la gravure afin de contrôler une profondeur et/ou une largeur du ou des retraits de structure STI.