SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM HAVING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES OF VARIOUS TYPES AND A CONTROL METHOD FOR THE SAME

Disclosed are a semiconductor memory system having semiconductor memory devices of various types and a control method for the same. A semiconductor memory system according to an embodiment of the present invention comprises a plurality of semiconductor memory devices; and a memory controller for con...

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Main Authors LEE, HYUN WOONG, KIM, YOUNG GOAN
Format Patent
LanguageEnglish
French
Korean
Published 03.11.2011
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Summary:Disclosed are a semiconductor memory system having semiconductor memory devices of various types and a control method for the same. A semiconductor memory system according to an embodiment of the present invention comprises a plurality of semiconductor memory devices; and a memory controller for controlling the read-out of data programs for the plurality of semiconductor memory devices and data from the plurality of semiconductor memory devices; wherein at least two of the plurality of semiconductor memory devices differ from each other in terms of one or more of the following: the number of bits of data programmed in memory cells, the degree of integration, the manufacturer, whether they are synchronised, and whether or not encoded data is stored. La présente invention concerne un système de mémoire à semi-conducteurs comportant des dispositifs de mémoire à semi-conducteurs de différents types et un procédé de contrôle associé. Un système de mémoire à semi-conducteurs d'après un mode de réalisation de la présente invention comprend une pluralité de dispositifs de mémoire à semi-conducteurs ; et un contrôleur de mémoire permettant de contrôler la lecture de programmes de données destinés à la pluralité de dispositifs de mémoire à semi-conducteurs et aux données provenant de la pluralité de dispositifs de mémoire à semi-conducteurs ; au moins deux dispositifs de mémoire à semi-conducteurs de la pluralité de dispositifs de mémoire à semi-conducteurs étant différents l'un de l'autre en ce qui concerne un ou plusieurs des points suivants : le nombre de bits de données programmés dans les cellules de mémoire, le degré d'intégration, le fabricant, la synchronisation et le fait qu'ils comprennent ou non des données codées mémorisées.
Bibliography:Application Number: WO2011KR00228