PIEZOELECTRIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING PIEZOELECTRIC DEVICE

• Main Author: ITO KOREKIYO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 03.06.2011
• Subjects: BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRICITY; IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS

Disclosed is a piezoelectric device which is not deteriorated in the resonance characteristics even in cases where an intermediate layer for bonding is provided between a piezoelectric thin film and a supporting body. Also disclosed is a method for manufacturing a piezoelectric device. Specifically, after forming an ion injected region within a piezoelectric single crystal substrate (1) by injecting hydrogen ions thereinto, a metal intermediate layer (32) is formed on the back surface (12) of the piezoelectric single crystal substrate (1). The piezoelectric single crystal substrate (1) and a supporting body (30) are then bonded together, while having the intermediate layer (32) interposed therebetween. A composite piezoelectric body (2), which is provided with the ion injected region, or a composite piezoelectric substrate (3), which is obtained by heating and separating the piezoelectric single crystal substrate (1), is heated at 450-700°C, so that the metal in the intermediate layer is oxidized, thereby decreasing the conductivity. Consequently, the piezoelectric substrate and the supporting body can be reliably bonded together by forming the metal intermediate layer. In addition, since the metal intermediate layer is oxidized, the conductivity of the intermediate layer can be decreased, thereby providing a piezoelectric device that has good resonance characteristics. L'invention concerne un dispositif piézoélectrique dont les caractéristiques de résonance ne se détériorent pas, même dans les cas où une couche intermédiaire de collage est disposée entre un film fin piézoélectrique et un corps de support. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un dispositif piézoélectrique. Plus précisément, après avoir formé une région à ions injectés dans un substrat de cristal unique piézoélectrique (1) en injectant des ions d'hydrogène dans celui-ci, une couche intermédiaire métallique (32) est formée sur la surface arrière (12) du substrat de cristal unique piézoélectrique (1). Le substrat de cristal unique piézoélectrique (1) et un corps de support (30) sont ensuite collés ensemble, tandis qu'une couche intermédiaire (32) est disposée entre eux. Un corps piézoélectrique composite (2), qui comprend la région à ions injectés, ou un substrat piézoélectrique composite (3), qui est obtenu en chauffant et en séparant le substrat de cristal unique piézoélectrique (1), est chauffé à 450-700°C de sorte que le métal dans la couche intermédiaire soit oxydé, ce qui diminue la conductivité. En conséquence, le substrat piézoélectrique et le corps de support peuvent être collés de manière fiable l'un à l'autre en formant la couche intermédiaire métallique. En outre, étant donné que la couche intermédiaire métallique est oxydée, la conductivité de la couche intermédiaire peut être réduite, ce qui permet d'obtenir un dispositif piézoélectrique ayant de bonnes caractéristiques de résonance.