SEMIPOLAR {20-21} III-NITRIDE LASER DIODES WITH ETCHED MIRRORS

• Main Authors: HAEGER, DANIEL, A, FARRELL, ROBERT, M, DENBAARS, STEVEN, P, OHTA, HIROAKI, HSU, PO SHAN, SPECK, JAMES, S, TYAGI, ANURAG, KELCHNER, KATHRYN, M, NAKAMURA, SHUJI, HUANG, CHIA-YEN
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 12.05.2011
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semipolar {20-21} III-nitride based laser diode employing a cavity with one or more etched facet mirrors. The etched facet mirrors provide an ability to arbitrarily control the orientation and dimensions of the cavity or stripe of the laser diode, thereby enabling control of electrical and optical properties of the laser diode. La présente invention a trait à une diode laser à base de nitrure-III {20-21} semi-polaire employant une cavité pourvue d'un ou de plusieurs miroirs à facettes gravés. Les miroirs à facettes gravés permettent de contrôler de façon arbitraire l'orientation et les dimensions de la cavité ou de la bande de la diode laser, ce qui permet ainsi de contrôler les propriétés électriques et optiques de la diode laser.