SENSOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SENSOR DEVICE

• Main Authors: NONOMURA, YUTAKA, ESASHI, MASAYOSHI, MATSUZAKI, SAKAE, YAMADA, HITOSHI, TANAKA, SHUJI, MUROYAMA, MASANORI, YAMAGUCHI, UI, FUJIYOSHI, MOTOHIRO, NAKAYAMA, TAKAHIRO, MAKIHATA, MITSUTOSHI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 21.04.2011
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MEASURING; MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER,MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE; MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES; MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY; PERFORMING OPERATIONS; PHYSICS; PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TESTING; TRANSPORTING

Provided is a technique for packaging: a sensor structure (300) having a contact sensing surface; and a signal processing LSI unit (420) for processing the sensor signals from said sensor structure (300). The sensor structure (300) is provided with said contact sensing surface and sensor electrodes (320 and 330). A semiconductor substrate (400) is incorporated with a signal processing integrated circuit (420). The sensor structure (300) and the semiconductor substrate (400) are joined together with an adhesive layer (500), thereby integrating a sensor device (200) into one chip. The sensor electrodes (320 and 330) and the integrated circuit (420) are encapsulated inside the sensor device (200), and the external terminals of the sensor electrodes (320 and 330) and the integrated circuit (420) are pulled out from the back surface of the semiconductor substrate (400) via the side surface of the semiconductor substrate (400). La présente invention concerne une technique pour l'encapsulation: d'une structure de capteur (300) présentant une surface de détection de contact; et d'une unité de traitement d'intégration à grande échelle (420) pour le traitement des signaux de capteur provenant de ladite structure de capteur (300). La structure de capteur (300) est dotée de ladite surface de détection de contact et d'électrodes de capteur (320 et 330). Un substrat semi-conducteur (400) est incorporé avec un circuit intégré de traitement de signaux (420). La structure de capteur (300) et le substrat semi-conducteur (400) sont assemblés par une couche adhésive (500), permettant ainsi l'intégration d'un dispositif capteur (200) dans une puce. Les électrodes de capteur (320 et 330) et le circuit intégré (420) sont encapsulés à l'intérieur du dispositif capteur (200), et les bornes extérieures des électrodes de capteur (320 et 330) et le circuit intégré sont extraits depuis la surface arrière du substrat semi-conducteur (400) via la surface latérale du substrat semi-conducteur (400).