SENSOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING SENSOR DEVICE

• Main Authors: NONOMURA, YUTAKA, ESASHI, MASAYOSHI, MATSUZAKI, SAKAE, YAMADA, HITOSHI, TANAKA, SHUJI, MUROYAMA, MASANORI, YAMAGUCHI, UI, FUJIYOSHI, MOTOHIRO, NAKAYAMA, TAKAHIRO, MAKIHATA, MITSUTOSHI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 21.04.2011
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MEASURING; MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER,MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE; MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES; MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY; PERFORMING OPERATIONS; PHYSICS; PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TESTING; TRANSPORTING

Provided is a technique for packaging a sensor structure (300) having a contact sensing surface and a signal processing LSI (420) for processing the sensor signal of the sensor structure (300). The sensor structure (300) has a contact sensing surface and sensor electrodes (320, 330). The signal processing integrated circuit (420) is formed on a semiconductor substrate (400). The sensor structure (300) and the semiconductor substrate (400) are bonded by a bonding layer (500), forming a sensor device (200) as a single chip. The sensor electrodes (320, 330) and the integrated circuit (420) are sealed inside the sensor device (200), and the external terminals of the sensor electrodes (320, 330) and the integrated circuit (420) are led out through a side of the semiconductor substrate (400) to the back surface of the semiconductor substrate (400). L'invention porte sur une technique pour encapsuler une structure de capteur (300) ayant une surface de détection de contact et un LSI de traitement de signal (420) pour traiter le signal de capteur de la structure de capteur (300). La structure de capteur (300) a une surface de détection de contact et des électrodes de capteur (320, 330). Le circuit intégré de traitement de signal (420) est formé sur un substrat semi-conducteur (400). La structure de capteur (300) et le substrat semi-conducteur (400) sont reliés par une couche de liaison (500), formant un dispositif de capteur (200) sous la forme d'une puce unique. Les électrodes de capteur (320, 330) et le circuit intégré (420) sont confinés de manière étanche à l'intérieur du dispositif de capteur (200), et des bornes externes des électrodes de capteur (320, 330) et du circuit intégré (420) sont amenées en sortie à travers un côté du substrat semi-conducteur (400), jusqu'à la surface arrière du substrat semi-conducteur (400).