METHOD OF FORMING A DEEP TRENCH IN A SUBSTRATE

• Main Authors: PAMARTHY, SHARMA, V, FARR, JON, C, RAORANE, DIGVIJAY, SIRAJUDDIN, KHALID, M
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 31.03.2011
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Methods of forming deep trenches in substrates are described. A method includes providing a substrate with a patterned film disposed thereon, the patterned film including a trench having a first width and a pair of sidewalls, the trench exposing the top surface of the substrate. The method also includes forming a material layer over the patterned film and conformal with the trench. The method also includes etching the material layer to form sidewall spacers along the pair of sidewalls of the trench, the sidewall spacers reducing the first width of the trench to a second width. The method also includes etching the substrate to form a deep trench in the substrate, the deep trench undercutting at least a portion of the sidewall spacers. L'invention porte sur des procédés de formation de tranchées profondes dans des substrats. Un procédé comprend la fourniture d'un substrat avec un film à motifs disposé sur celui-ci, le film à motifs comprenant une tranchée ayant une première largeur et une paire de parois latérales, la tranchée exposant la surface supérieure du substrat. Le procédé comprend également la formation d'une couche de matériau sur le film à motifs, et conforme à la tranchée. Le procédé comprend également la gravure de la couche de matériau pour former des éléments d'espacement de paroi latérale le long de la paire de parois latérales de la tranchée, les éléments d'espacement de paroi latérale réduisant la première largeur de la tranchée à une deuxième largeur. Le procédé comprend également la gravure du substrat pour former une tranchée profonde dans le substrat, la tranchée profonde entaillant au moins une partie des éléments d'espacement de paroi latérale.