MAGNETIC MEMORY

• Main Authors: MIURA SADAHIKO, OHSHIMA NORIKAZU, SAITHO SHINSAKU, SUZUKI TETSUHIRO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 31.03.2011
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; STATIC STORES

Disclosed is a memory cell comprising: a magnetic recording layer comprising a ferromagnetic layer in which the direction of magnetization is inversible; a sense layer comprising a ferromagnetic layer in which the direction of magnetization is fixed; a tunnel barrier layer intercalated between the magnetic recording layer and the sense layer; a first spin supply layer comprising a ferromagnetic layer in which the direction of magnetization is fixed; a first non-magnetic layer intercalated between the magnetic recording layer and the first spin supply layer; a first terminal; a second terminal; and a third terminal. The first terminal is connected to the magnetic recording layer through the sense layer and the tunnel barrier layer. The second terminal is connected to the magnetic recording layer through the first spin supply layer and the first non-magnetic layer. The third terminal is connected to the magnetic recording layer without involving the sense layer, the tunnel barrier layer, the first spin supply layer and the first non-magnetic layer. L'invention concerne une cellule de mémoire comprenant : une couche magnétique d'enregistrement comprenant une couche ferromagnétique dans laquelle on peut inverser la direction de l'aimantation, une couche de détection comprenant une couche ferromagnétique dans laquelle la direction de l'aimantation est fixe, une couche barrière de tunnel intercalée entre la couche magnétique d'enregistrement et la couche de détection, une première couche de fourniture de spin comprenant une couche ferromagnétique dont la direction de l'aimantation est fixe, une première couche non magnétique intercalée entre la couche magnétique d'enregistrement et la première couche de fourniture de spin, une première broche, une deuxième broche et une troisième broche. La première broche est connectée à la couche magnétique d'enregistrement par l'intermédiaire de la couche de détection et de la couche barrière de tunnel. La deuxième broche est connectée à la couche magnétique d'enregistrement par l'intermédiaire de la première couche de fourniture de spin et de la première couche non magnétique. La troisième broche est connectée à la couche magnétique d'enregistrement sans faire intervenir la couche de détection, la couche barrière de tunnel, la première couche de fourniture de spin et la première couche non magnétique.