LIGHT EMITTING DEVICES WITH EMBEDDED VOID-GAP STRUCTURES THROUGH BONDING OF STRUCTURED MATERIALS ON ACTIVE DEVICES

A method of fabricating optoelectronic devices with embedded void-gap structures on semiconductor layers through bonding is provided. The embedded void- gaps are fabricated on a semiconductor structure by bonding a patterned layer or slab onto a flat surface, or by bonding a flat layer or slab onto...

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Main Authors WEISBUCH, CLAUDE C. A, MATIOLI, ELISON DE NAZARETH, SPECK, JAMES S
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 03.03.2011
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Summary:A method of fabricating optoelectronic devices with embedded void-gap structures on semiconductor layers through bonding is provided. The embedded void- gaps are fabricated on a semiconductor structure by bonding a patterned layer or slab onto a flat surface, or by bonding a flat layer or slab onto a patterned surface. The void-gaps can be filled with air, gases, conductive or dielectric materials, or other substances, in order to provide better isolation of optical modes from dissipative regions, or better light extraction properties. L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositifs optoélectroniques avec des structures intégrées à espaces vides sur des couches de semi-conducteur par collage. Les espaces vides intégrés sont obtenus sur une structure semi-conductrice par collage d'une couche ou d'un strate gravés sur une surface plate ou par collage d'une couche ou d'un strate plat sur une surface gravée. Les espaces vides peuvent être remplis d'air, de gaz, de matériaux conducteurs ou diélectriques, ou d'autres substances, afin d'assurer une meilleure isolation des modes optiques par rapport aux régions de dissipation ou de meilleures propriétés d'extraction de la lumière.
Bibliography:Application Number: WO2010US47156