RECESSED GATE TYPE SILICON CARBIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

• Main Authors: NAGANO, TAKAHIRO, YATSUO, TSUTOMU, OKAMOTO, MITSUO, FUKUDA, KENJI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 03.03.2011
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is a SiC MISFET wherein source and drain regions (3, 4) are formed in a SiC semiconductor region (2) of one conductivity type, and a recessed section (5), which is composed of two side surfaces in contact with the source and drain regions, and the bottom surface connecting both the side surfaces, and which has a predetermined depth, is formed in the SiC semiconductor region portion sandwiched between the source and drain regions. Parts (3a, 4a) of the source and drain regions are made thinner than other parts of the source and drain regions, said parts (3a, 4a) being adjacent to the vicinity of both the ends of the bottom surface of the recessed section. La présente invention a trait à un transistor SiC MISFET dont les zones de source et de drain (3, 4) sont formées dans une zone semi-conductrice de carbure de silicium (2) dotée d'un type de conductivité, et une partie en retrait (5), qui est constituée de deux surfaces latérales en contact avec les zones de source et de drain et d'une surface inférieure reliant les deux surfaces latérales, et qui est dotée d'une profondeur prédéterminée, est formée dans la partie de zone semi-conductrice de carbure de silicium prise en sandwich entre les zones de source et de drain. Les parties (3a, 4a) des zones de source et de drain sont plus fines que d'autres parties des zones de source et de drain, lesdites parties (3a, 4a) étant proches des deux extrémités de la surface inférieure de la partie en retrait.