SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: MATSUDA, SHIGENOBU
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 03.03.2011
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is a semiconductor device (100) comprising a semiconductor base (10) which comprises a cell region containing a first semiconductor layer (1) that has a first conductivity type, a second semiconductor layer (2) that is formed in the surface of the first semiconductor layer in the form of an island and has a second conductivity type that is different from the first conductivity type, a third semiconductor layer (3) that is formed in the surface of the second semiconductor layer in the form of an island has the first conductivity type, and a plurality of gate trenches (11) that penetrate through the second semiconductor layer and the third semiconductor layer and reach the inner portion of the first semiconductor layer, and a peripheral region which surrounds the cell region and contains a plurality of peripheral trenches (14) that penetrate through the second semiconductor layer and the third semiconductor layer and reach the inner portion of the first semiconductor layer and an end layer (6) that is formed in the surface of the first semiconductor layer in the form of an island and has the first conductivity type. In the semiconductor base (10), the first semiconductor layer, the second semiconductor layer, the third semiconductor layer and the end layer are not exposed from the surface of the first semiconductor layer on the front side of the first semiconductor layer. La présente invention a trait à un dispositif à semi-conducteur (100) comprenant une base semi-conductrice (10) qui comprend une zone de cellule contenant une première couche semi-conductrice (1) qui est dotée d'un premier type de conductivité, une deuxième couche semi-conductrice (2) qui est formée dans la surface de la première couche semi-conductrice sous la forme d'un îlot et qui est dotée d'un second type de conductivité qui est différent du premier type de conductivité, une troisième couche semi-conductrice (3) qui est formée dans la surface de la deuxième couche semi-conductrice sous la forme d'un îlot et qui est dotée du premier type de conductivité, et une pluralité de tranchées de grilles (11) qui pénètre à travers la deuxième couche semi-conductrice et la troisième couche semi-conductrice et qui atteint la partie intérieure de la première couche semi-conductrice, et une zone périphérique qui entoure la zone de cellule et qui contient une pluralité de tranchées périphériques (14) qui pénètre à travers la deuxième couche semi-conductrice et la troisième couche semi-conductrice et qui atteint la partie intérieure de la première couche semi-conductrice et une couche finale (6) qui est formée dans la surface de la première couche semi-conductrice sous la forme d'un îlot et qui est dotée du premier type de conductivité. Dans la base semi-conductrice (10), la première couche semi-conductrice, la deuxième couche semi-conductrice, la troisième couche semi-conductrice et la couche finale ne sont pas exposées à partir de la surface de la première couche semi-conductrice du côté avant de la première couche semi-conductrice.