SEMICONDUCTOR MODULE AND HEAT RADIATION MEMBER

• Main Authors: ONO, MASAKI, SUZUKI, KENJI, SOYANO, SHIN, MOROZUMI, AKIRA
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 03.03.2011
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The characteristics of a heat radiation member used in a semiconductor module are improved. A heat radiation member (10A) including an aluminum type member (20) which contains aluminum and a copper type member (30) which contains copper, which is embedded in the aluminum type member (20), and sides of which are enclosed by the aluminum type member (20) is formed. A semiconductor element is thermally bonded to the heat radiation member (10A) to fabricate a semiconductor module. The heat radiation member (10A) includes the aluminum type member (20) and the copper type member (30). As a result, it is possible to realize light weight while ensuring certain heat radiation. In addition, the copper type member (30) is enclosed by the aluminum type member (20). Accordingly, the strength of the heat radiation member (10A) can be increased. Les caractéristiques d'un élément à rayonnement thermique utilisé dans un module semi-conducteur sont améliorées. Un élément à rayonnement thermique (10A) incluant un élément de type aluminium (20) qui contient de l'aluminium et un élément de type cuivre (30) qui contient du cuivre, qui est logé dans l'élément de type aluminium (20) et dont les côtés sont enfermés par l'élément de type aluminium (20), est formé. Un élément semi-conducteur est thermiquement collé à l'élément à rayonnement thermique (10A) en vue de fabriquer un module semi-conducteur. L'élément à rayonnement thermique (10A) inclut l'élément de type aluminium (20) et l'élément de type cuivre (30). En conséquence, il est possible d'obtenir un élément léger tout en garantissant un certain rayonnement thermique. De plus, l'élément de type cuivre (30) est enfermé par l'élément de type aluminium (20). Par conséquent, la résistance de l'élément à rayonnement thermique (10A) peut être augmentée.