PRESSURIZED TREATMENT OF SUBSTRATES TO ENHANCE CLEAVING PROCESS

• Main Authors: RAMAPPA, DEEPAK, A, BLAKE, JULIAN, G
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 10.02.2011
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method of cleaving a substrate is disclosed. A species, such as hydrogen or helium, is implanted Into a substrate to form a layer of mfcrobubbles, The substrate is then annealed a pressure greater than atmosphere. This annealing may be performed in the presence of the species that was implanted. This diffuses the species into the substrate. The substrate is then cleaved along the layer of microbubbles. Other steps to form an oxide iayer or to bond to a handle afso may be Included. La présente invention a trait à un procédé de coupage d'un substrat. Une espèce, telle que de l'hydrogène ou de l'hélium, est implantée dans un substrat de manière à former une couche de microbulles. Le substrat est ensuite recuit à une pression supérieure à celle de l'atmosphère. Ce recuit peut être réalisé en présence de l'espèce qui a été implantée. Ceci permet de diffuser l'espèce dans le substrat. Le substrat est ensuite coupé le long de la couche de microbulles. D'autres étapes permettant de former une couche d'oxyde ou de lier à une poignée peuvent également être incluses.