ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID-CRYSTAL DISPLAY PANEL, LIQUID-CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING AN ACTIVE MATRIX SUBSTRATE
Disclosed is an active matrix substrate (130) provided with: a lead wire going from a switching element to the surrounding region (105); a pad area (112) that is positioned above said surrounding region (105) and formed on the lead wire; an insulating layer (171) that is formed so as to cover the pa...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
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10.02.2011
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Summary: | Disclosed is an active matrix substrate (130) provided with: a lead wire going from a switching element to the surrounding region (105); a pad area (112) that is positioned above said surrounding region (105) and formed on the lead wire; an insulating layer (171) that is formed so as to cover the pad area (112), has a contact hole (170) formed therein that extends to the pad (112), and includes a passivation film (137) formed from an inorganic material and a planarization film (138) formed from an organic material on top of the passivation film (137); and an ITO film (141) positioned inside the contact hole (170) and formed on top of the pad (112). The ITO film (141) is formed at a position separated from the part of the inner surface of the contact hole (170) that is regulated by the planarization film (138).
L'invention concerne un substrat de matrice active (130) muni : d'un fil de sortie allant depuis un élément de commutation jusqu'à la zone environnante (105) ; d'une surface de plage de connexion (112) qui est positionnée au-dessus de ladite zone environnante (105) et formée sur le fil de sortie ; d'une couche isolante (171) qui est formée de façon à recouvrir la surface de plage de connexion (112), possède un alésage de contact (170) formé dans celle-ci, lequel s'étend vers la plage de connexion (112) et inclut un film de passivation (137) formé à partir d'un matériau inorganique et un film d'aplanissement (138) formé à partir d'un matériau organique au sommet du film de passivation (137) ; ainsi que d'un film d'oxyde étain-indium (ITO) (141) positionné à l'intérieur de l'alésage de contact (170) et formé au sommet de la plage de connexion (112). Le film d'oxyde étain-indium (141) est formé à une position séparée de la partie de la surface interne de l'alésage de contact (170) qui est régulée par le film d'aplanissement (138). |
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Bibliography: | Application Number: WO2010JP59962 |