BROAD AREA LASER HAVING AN EPITAXIAL STACK OF LAYERS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

• Main Authors: LELL, ALFRED, BRUENINGHOFF, STEFANIE
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 03.02.2011
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

Es ist ein Breitstreifenlaser (1) vorgesehen, der einen epitaktischen Schichtenstapel (2) mit einer Oberseite (22) und einer Unterseite (23) aufweist. Der Schichtenstapel (2) weist eine aktive, strahlungserzeugende Schicht (21) auf. Weiter weist der Schichtenstapel (2) Gräben (3) auf, in denen wenigstens eine Schicht des Schichtenstapels (2) zumindest teilweise entfernt ist und die von der Oberseite (22) in Richtung Unterseite (23) führen. Der Schichtenstapel (2) weist oberseitig Stege (4) auf, die jeweils an die Gräben (3) angrenzen, sodass der Schichtenstapel (2) oberseitig streifenförmig ausgebildet ist. Die Stege (4) und die Gräben (3) weisen jeweils eine Breite (d1, d2) von höchstens 20 µm auf. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Breitstreifenlasers (1) vorgesehen. The invention relates to a broad area laser (1), which has an epitaxial stack of layers (2) that has a top side (22) and a bottom side (23). The stack of layers (2) comprises an active layer (21) that produces radiation. The stack (2) of layers further comprises holes (3), in which at least one layer of the stack of layers (2) is at least partially removed and which lead from the top side (22) in the direction of the bottom side (23). The stack of layers (2) comprises webs (4) on the top side, said webs each adjoining the holes (3) so that the stack of layers (2) is strip-shaped on the top side. The webs (4) and the holes (3) each have a width (d1, d2) of at most 20 µm. The invention further relates to a method for producing such a broad area laser (1). L'invention concerne un laser à larges bandes (1) qui présente un empilement de couches épitaxiales (2) avec une face supérieure (22) et une face inférieure (23). L'empilement de couches (2) présente une couche active (21) générant un rayonnement. L'empilement de couches (2) présente en outre des tranchées (3) dans lesquelles au moins une couche de l'empilement de couches (2) est au moins en partie enlevée et qui vont de la face supérieure (22) en direction de la face inférieure (23). L'empilement de couches (2) présente côté face supérieure des barres (4) qui sont respectivement contiguës aux tranchées (3) de sorte que l'empilement de couches (2) est formé de bandes du côté supérieur. Les barres (4) et les tranchées (3) présentent respectivement une largeur (d1, d2) d'au plus 20 µm. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un tel laser à larges bandes (1).