LIGHT EMITTING DIODE

• Main Authors: YAMADA, ATSUSHI, IWANAGA, JUNKO, YOKOGAWA, TOSHIYA
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 27.01.2011
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The light emitting diode disclosed comprises an n-type conductive layer (2) having main face and a back face and comprising a gallium nitride type compound, and having an m-plane as the main face; a semiconductor lamination layer structure (21) provided in a first region (2a) of the main face of the n-type conductive layer (2) and containing a p-type conductive layer (4), and an active layer (3) placed between the n-type conductive layer (2) and the p-type conductive layer (4); a p-type electrode (5) placed on the p-type electrode layer (4); a conductive part (9) provided in a second region (2b) of the main face of the n-type conductive layer (2) in contact with the inside wall of a through hole (8); and an n-type surface electrode (6) placed in a second region (2b) of the main face of the n-type conductive layer (2) to be in contact with the conductive part (9). L'invention concerne une diode électroluminescente comprenant une couche conductrice de type n (2) comportant une face principale et une face arrière et comprenant un composé du type à nitrure de gallium, et comportant un plan m comme face principale ; une structure de couche de stratification semi-conductrice (21) disposée dans une première région (2a) de la face principale de la couche conductrice de type n (2) et contenant une couche conductrice de type p (4), et une couche active (3) placée entre la couche conductrice de type n (2) et la couche conductrice de type p (4) ; une électrode de type p (5) placée sur la couche d'électrode de type p (4) ; une partie conductrice (9) disposée dans une seconde région (2b) de la face principale de la couche conductrice de type n (2) en contact avec la paroi intérieure d'un trou débouchant (8) ; et une surface électrode de type n (6) placée dans une seconde région (2b) de la face principale de la couche conductrice de type n (2) pour être en contact avec la partie conductrice (9).