GALLIUM NITRIDE FOR LIQUID CRYSTAL ELECTRODES

• Main Authors: HOKE, WILLIAM, E, RESLER, DANIEL, P
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 13.01.2011
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH ISMODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THEDEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY,COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g.SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICS; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF

Described herein is a liquid crystal (LC) device having Gallium Nitride HEMT electrodes. The Gallium Nitride HEMT electrodes can be grown on a variety of substrates, including but not limited to sapphire, silicon carbide, silicon, fused silica (using a calcium flouride buffer layer),and spinel. Also described is a structure provided from GaN HEMT grown on large area silicon substrates and transferred to another substrate with appropriate properties for OPA devices. Such substrates include, but are not limited to sapphire, silicon carbide, silicon, fused silica (using a calcium fluoride buffer layer),and spinel. The GaN HEMT structure includes an AlN interlayer for improving the mobility of the structure. La présente invention concerne un dispositif à cristaux liquides (LC) comportant des électrodes de HEMT (transistor à haute mobilité électronique) en nitrure de gallium. Les électrodes de HEMT en nitrure de gallium peuvent croître sur une diversité de substrats comprenant, mais sans s'y limiter, le saphir, le carbure de silicium, le silicium, le verre de silice (à l'aide d'une couche tampon de fluorure de calcium) et le spinelle. L'invention concerne également une structure fournie à partir d'un HEMT en GaN sur des substrats de silicium à grande surface et transférée vers un autre substrat doté de propriétés appropriées pour des dispositifs OPA. De tels substrats comprennent, sans s'y limiter, le saphir, le carbure de silicium, le silicium, le verre de silice (à l'aide d'une couche tampon de fluorure de calcium) et le spinelle. La structure de HEMT en GaN comprend une couche intermédiaire en AlN permettant d'améliorer la mobilité de la structure.