ArF-LITHOGRAPHY MIRROR AND ArF-LITHOGRAPHY OPTICAL MEMBER
Provided is an ArF-lithography optical member that satisfies all of the following items, (1)-(5), and the Coefficient of Thermal Expansion (CTE) thereof, at 22°C, is within a range of 0 ± 200 ppb/°C. (1): The RMS at a range, 1 mm = ? (spatial wavelength) = 10 mm, is 0.1 nm or more and 3.0 nm or less...
Saved in:
Main Authors | , , |
---|---|
Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
06.01.2011
|
Subjects | |
Online Access | Get full text |
Cover
Loading…
Summary: | Provided is an ArF-lithography optical member that satisfies all of the following items, (1)-(5), and the Coefficient of Thermal Expansion (CTE) thereof, at 22°C, is within a range of 0 ± 200 ppb/°C. (1): The RMS at a range, 1 mm = ? (spatial wavelength) = 10 mm, is 0.1 nm or more and 3.0 nm or less (2): The RMS at a range, 10 µm = ? (spatial wavelength) = 1 mm, is 0.1 nm or more and 3.0 nm or less (3): The RMS at a range, 250 nm = ? (spatial wavelength) = 10 µm, is 0.05 nm or more and 1.0 nm or less (4): The RMS at a range, 100 nm = ? (spatial wavelength) = 1 µm, is 0.01 nm or more and 1.0 nm or less (5): The RMS at a range, 50 nm = ? (spatial wavelength) = 250 nm, is 0.01 nm or more and 1.0 nm or less
L'invention concerne un élément optique pour lithographie ArF dont la surface optique remplit toutes les conditions (1) à (5) ci-dessous, et dont le coefficient d'expansion thermique (CTE) à 22 ? est compris dans la plage 0±200ppb/?. (1) RMS pour 1mm??(longueur d'onde spatiale)?10mm est supérieur ou égal à 0,1nm et inférieur ou égal à 3,0nm. (2) RMS pour 10µm??(longueur d'onde spatiale)?1mm est supérieur ou égal à 0,1nm et inférieur ou égal à 3,0nm. (3) RMS pour 250nm??(longueur d'onde spatiale)?10µm est supérieur ou égal à 0,05µm et inférieur ou égal à 1,0µm. (4) RMS pour 100nm??(longueur d'onde spatiale)?1µm est supérieur ou égal à 0,01nm et inférieur ou égal à 1,0nm. (5) RMS pour 50nm??(longueur d'onde spatiale)?250nm est supérieur ou égal à 0,01nm et inférieur ou égal à 1,0nm. |
---|---|
Bibliography: | Application Number: WO2010JP61284 |