PATTERN FORMING METHOD, CHEMICAL AMPLIFICATION RESIST COMPOSITION AND RESIST FILM

A pattern forming method, including: (i) forming a film from a chemical amplification resist composition; (ii) exposing the film, so as to form an exposed film; and (iii) developing the exposed film by using a developer containing an organic solvent, wherein the chemical amplification resist composi...

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Main Authors TARUTANI, SHINJI, KAMIMURA, SOU, ENOMOTO, YUICHIRO
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 23.12.2010
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Summary:A pattern forming method, including: (i) forming a film from a chemical amplification resist composition; (ii) exposing the film, so as to form an exposed film; and (iii) developing the exposed film by using a developer containing an organic solvent, wherein the chemical amplification resist composition contains: (A) a resin capable of decreasing a solubility of the resin (A) in the developer containing an organic solvent by an action of an acid; (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation; and (C) a basic compound or ammonium salt compound whose basicity decreases upon irradiation with an actinic ray or radiation, and a resist composition used for the pattern forming method and a resist film formed from the resist composition are provided. L'invention concerne un procédé de formation d'un motif qui comprend les étapes qui consistent à : (i) former un film à partir d'une composition de résist à amplification chimique, (ii) exposer le film de manière à former un film exposé et (iii) développer le film exposé en utilisant un développeur qui contient un solvant organique, la composition de résist à amplification chimique contenant : (A) une résine capable de diminuer grâce à l'action d'un acide la solubilité de la résine (A) dans le développeur qui contient un solvant organique, (B) un composé capable de produire un acide lorsqu'il est irradié par un rayonnement ou une radiation actiniques et (C) un composé basique ou un composé de sel d'ammonium dont la basicité diminue lorsqu'il est irradié par un rayonnement ou une radiation actiniques. L'invention concerne également une composition de résist utilisée pour le procédé de formation d'un motif et un film de résist formé à partir de la composition de résist.
Bibliography:Application Number: WO2010JP60412