METHOD FOR PRODUCING TITANIUM METAL

• Main Authors: GUO JIAYIN, HAN GANG, ABE MARIKO, BOULOS MAHER I, UESAKA SHUJIROH, JUREWICZ JERZY, SHOJI TATSUYA
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 02.12.2010
• Subjects: CHEMISTRY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; METALLURGY; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS; PRODUCTION AND REFINING OF METALS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS

Disclosed is a method for producing titanium metal, which comprises: (a) a step in which a mixed gas is formed by supplying titanium tetrachloride and magnesium into a mixing space that is held at an absolute pressure of 50-500 kPa and at a temperature not less than 1700°C; (b) a step in which the mixed gas is introduced into a deposition space; (c) a step in which titanium metal is deposited and grown on a substrate for deposition; and (d) a step in which the mixed gas after the step (c) is discharged. In this connection, the deposition space has an absolute pressure of 50-500 kPa, the substrate for deposition is arranged in the deposition space, and at least a part of the substrate for deposition is held within the temperature range of 715-1500°C. L'invention concerne un procédé de production de titane métallique, qui comprend : (a) une étape dans laquelle un gaz mixte est formé par introduction de tétrachlorure de titane et de magnésium dans un espace de mélange qui est maintenu à une pression absolue de 50-500 kPa et à une température supérieure ou égale à 1700 °C ; (b) une étape dans laquelle le gaz mixte est introduit dans un espace de dépôt ; (c) une étape dans laquelle le titane métallique est déposé et croît sur un substrat de dépôt ; et (d) une étape dans laquelle le gaz mixte est évacué après l'étape (c). Pour ce faire, la pression absolue de l'espace de dépôt est de 50-500 kPa, le substrat de dépôt est placé dans l'espace de dépôt et au moins une partie du substrat de dépôt est maintenue dans l'intervalle de températures de 715-1500 °C.