NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

• Main Authors: YOSHIDA, SHINJI, ORITA, KENJI, MOCHIDA, ATSUNORI, HASEGAWA, YOSHIAKI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 25.11.2010
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

A nitride semiconductor device is composed of a III nitride semiconductor and has a semiconductor laminated body (50), which has a light emitting end surface, and a first coat film (23), which is formed to cover the light emitting end surface of the semiconductor laminated body (50). The first coat film (23) is a crystalline film composed of a nitride which contains aluminum. The crystalline film is composed of an assembly of a plurality of domains having the same tilt angle and rotation angle of the crystalline orientation plane, and the length of the boundary of each domain per unit area is 7 µm-1 or shorter. La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur au nitrure qui est composé d'un semi-conducteur au nitrure III et qui comporte un corps stratifié semi-conducteur (50), qui possède une surface d'extrémité électroluminescente, et un premier film de revêtement (23), qui est formé afin de recouvrir la surface d'extrémité électroluminescente du corps stratifié semi-conducteur (50). Le premier film de revêtement (13) est un film cristallin composé d'un nitrure qui contient de l'aluminium. Le film cristallin est composé d'un assemblage d'une pluralité de domaines présentant le même angle d'inclinaison et le même angle de rotation du plan d'orientation cristalline, et la longueur de la limite de chaque domaine par surface unitaire est inférieure ou égale à 7 µm-1.