HIGH EFFICIENCY EPITAXIAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD) REACTOR

The present disclosure presents a chemical vapor deposition reactor having improved chemical utilization and cost efficiency. The wafer susceptors of the present disclosure may be used in a stackable configuration for processing many wafers simultaneously. The reactors of the present disclosure may...

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Main Author KAMIAN, GEORGE
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 21.10.2010
Subjects
PERFORMING OPERATIONS
TRANSPORTING
VEHICLES IN GENERAL
VEHICLES, VEHICLE FITTINGS, OR VEHICLE PARTS, NOT OTHERWISEPROVIDED FOR
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Summary:The present disclosure presents a chemical vapor deposition reactor having improved chemical utilization and cost efficiency. The wafer susceptors of the present disclosure may be used in a stackable configuration for processing many wafers simultaneously. The reactors of the present disclosure may be reverse-flow depletion mode reactors, which tends to provide uniform film thickness and a high degree of chemical utilization. La présente invention porte sur un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur caractérisé par une utilisation améliorée des produits chimiques et un meilleur rapport coût-efficacité. Les suscepteurs pour tranches de la présente invention peuvent être utilisés dans une configuration empilable en vue du traitement simultané de nombreuses tranches. Les réacteurs de la présente invention peuvent être des réacteurs à mode d'appauvrissement avec écoulement inverse, ce quiu permet d'obtenir une épaisseur de film uniforme et un haut rendement d'utilisation des produits chimiques.
Bibliography:Application Number: WO2010US30991