METHOD OF PRODUCING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: TODA, JUNKO, TSUKAMOTO, TAKEHITO, MANIWA, SUSUMU
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 14.10.2010
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method of producing a substrate for a semiconductor element, comprising a first step which includes forming a first photosensitive resin layer on a first surface of a metal sheet, placing a second photosensitive resin layer on a second surface of the metal sheet, forming on the first surface a first resist pattern used for forming connection posts, and forming on the second surface a second resist pattern used for forming an interconnect pattern; and a second step which includes forming the connection posts on the first surface, filling a liquid resin used for pre-molding on the first surface, curing the liquid resin used for pre-molding to form a pre-mold resin layer, polishing the first surface to expose the top base surface of the connection posts from the pre-mold resin layer, and forming the interconnect pattern on the second surface; wherein by proceeding through the first step and the second step, a trench structure can be formed around the pattern of the substrate body, said trench structure having a depth that extends midway into the thickness direction of the metal sheet. L'invention concerne un procédé de production d'un substrat pour un élément semi-conducteur, dont une première étape consiste à former une première couche de résine photosensible sur une première surface d'une feuille de métal, à placer une seconde couche de résine photosensible sur une seconde surface de la feuille de métal, à former sur la première surface un premier motif de résine utilisé pour former des bornes de connexion, et à former sur la seconde surface un second motif de résine utilisé pour former un motif d'interconnexion ; et une seconde étape consiste à former les bornes de connexion sur la première surface, à verser une résine liquide utilisée pour le pré-moulage sur la première surface, à faire durcir la résine liquide utilisée pour le pré-moulage pour former une couche de résine de pré-moulage, à polir la première surface pour exposer la surface de base supérieure des bornes de connexion hors de la couche de résine de pré-moulage, et à former le motif d'interconnexion sur la seconde surface. En réalisant la première étape et la seconde étape, une structure de tranchée peut être formée autour du motif du corps de substrat, ladite structure de tranchée présentant une profondeur qui s'étend à mi-chemin dans l'épaisseur de la feuille de métal.