METHOD FOR FORMING SILICON NITRIDE FILM, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND PLASMA CVD APPARATUS

• Main Authors: NISHITA TATSUO, NAKANISHI TOSHIO, HONDA MINORU, MIYAHARA JUNYA
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 07.10.2010
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A method for forming a silicon nitride film is provided with a silicon nitride film forming step wherein plasma is generated by supplying a processing gas which contains a silicon-containing compound gas and a nitrogen-containing gas into a processing container, and a silicon nitride film is formed on a subject to be processed, and an oxygen atom-containing gas introducing step wherein the generation of plasma is stopped during the silicon nitride film forming step, an oxygen atom-containing gas is introduced into the processing container, and a trap is formed by exposing the silicon nitride film to the oxygen atom-containing gas, while the film is being formed. The silicon nitride film forming step can be provided with: a first step wherein a silicon nitride film is grown by means of plasma prior to the oxygen atom-containing gas introducing step, and a second step wherein a silicon nitride film is grown by means of plasma after the oxygen atom-containing gas introducing step. L'invention porte sur un procédé de formation d'un film de nitrure de silicium qui comporte une étape de formation de film de nitrure de silicium à laquelle un plasma est généré par apport d'un gaz de traitement qui contient un gaz composé contenant du silicium et d'un gaz contenant de l'azote dans un contenant de traitement, et un film de nitrure de silicium est formé sur un sujet devant être traité, et une étape d'introduction de gaz contenant des atomes d'oxygène à laquelle la génération de plasma est stoppée lors de l'étape de formation de film de nitrure de silicium, un gaz contenant des atomes d'oxygène est introduit dans le contenant de traitement, et un piège est formé par exposition du film de nitrure de silicium au gaz contenant des atomes d'oxygène, tandis que le film est en cours de formation. L'étape de formation de film de nitrure de silicium peut comporter : une première étape à laquelle un film de nitrure de silicium est développé au moyen d'un plasma avant l'étape d'introduction de gaz contenant les atomes d'oxygène, et une seconde étape à laquelle un film de nitrure de silicium est développé au moyen d'un plasma après l'étape d'introduction de gaz contenant des atomes d'oxygène.