SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

• Main Author: HONGO, HIROO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 30.09.2010
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Hysteresis of the electrical characteristics is reduced in a semiconductor device wherein tube-like semiconductor structures, such as carbon nanotubes, are used in the conductive layer. The semiconductor device has: a first insulating layer; the conductive layer in contact with the first insulating layer; a second insulating layer having a portion which covers the conductive layer and is in contact with the first insulating layer; and a first electrode in contact with the first insulating layer surface on the reverse side of the surface having the conductive layer thereon. The conductive layer contains the semiconductor structures which are disposed at intervals and satisfy the inequality of E1/E2=10, where E1 represents the electrical field intensity on a conductive layer surface in contact with the first insulating layer, in the electrical field that is generated when the potential of a first electrode is V, and E2 represents the electrical field intensity obtained by V/T, where V represents the potential of the first electrode and T represents the thickness of the first insulating layer. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur dans lequel l'hystérésis des caractéristiques électriques est réduite, des structures semi-conductrices tubulaires, telles que des nanotubes de carbone, étant utilisées dans la couche conductrice. Le dispositif à semi-conducteur comporte : une première couche isolante ; la couche conductrice en contact avec la première couche isolante ; une deuxième couche isolante comportant une partie qui couvre la couche conductrice et est en contact avec la première couche isolante ; et une première électrode en contact avec la surface de la première couche isolante sur le côté opposé de la surface comportant la couche conductrice. La couche conductrice contient les structures à semi-conducteur disposées à des intervalles et satisfaisant l'inégalité de E1/E2=10, E1 représentant l'intensité du champ électrique sur une surface de couche conductrice en contact avec la première couche isolante, dans le champ électrique généré quand le potentiel d'une première électrode est V, et E2 représentant l'intensité du champ électrique obtenue par V/T, V représentant le potentiel de la première électrode et T représentant l'épaisseur de la première couche isolante.