METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT CONDUCTIVE MATERIAL

• Main Authors: SHIRAKAWA, AKIHIKO, TOKITA, KOJI, MITSUMOTO, RYUICHI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 16.09.2010
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CABLES; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSESC01D OR C01F; CONDUCTORS; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; INORGANIC CHEMISTRY; INSULATORS; METALLURGY; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING ORDIELECTRIC PROPERTIES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A transparent conductive material is obtained as follows: a titanium based metal film that contains at least one element selected from a group consisting of Zr, Hf, Nb, Ta, Mo and W is formed on a base that is composed of at least one material selected from a group consisting of glasses, resins and semiconductor materials, by at least one kind of method selected from a group consisting of physical vapor deposition methods, chemical vapor deposition methods, sol-gel methods and synthesis methods from a solution; and then a part or the whole of the metal film is anodized at a temperature not more than 0°C and chemically converted into a conductive oxide film. A transparent electrode, an electronic device, a flat panel display, a touch panel or a solar cell is obtained using the transparent conductive material. La présente invention concerne un matériau conducteur obtenu la façon suivante : une couche mince métallique à base de titane contenant au moins un élément sélectionné dans un groupe comprenant Zr, Hf, Nb, Ta, Mo et W, est formée sur une base contenant au moins un matériau sélectionné dans un groupe comprenant verres, résines et matériaux semi-conducteurs, selon au moins un type de procédé sélectionné dans un groupe comprenant des procédés de dépôt physique par évaporation sous vide, des procédés de dépôt chimique par évaporation sous vide, des procédés sol-gel et des procédés de synthétisation à partir d'une solution. Puis, une partie ou la totalité de la couche mince métallique est anodisée à une température de pas plus de 0 °C et convertie chimiquement en une couche mince d'oxyde conducteur. Une électrode transparente, un dispositif électronique, un écran d'affichage plat, un écran tactile ou une pile solaire sont obtenus au moyen du matériau conducteur transparent.