VERTICALLY STRUCTURED LED BY INTEGRATING NITRIDE SEMICONDUCTORS WITH Zn(Mg,Cd,Be)O(S,Se) AND METHOD FOR MAKING SAME

• Main Authors: SONG, JIN, JOO, ZHANG, JIZHI
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 06.01.2011
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A light emitting diode (LED) with a vertical structure, including electrical contacts on opposing sides, provides increased brightness. In some embodiments an LED includes a nitride semiconductor light emitting component grown on a sapphire substrate, a Zn(Mg,Cd,Be)O(S,Se) assembly formed on the nitride semiconductor component, and a further Zn(Mg,Cd,Be)O(S,Se) assembly bonded on an opposing side of the light emitting component, which is exposed by removing the sapphire substrate. Electrical contacts may be connected to the Zn(Mg,Cd,Be)O(S,Se) assembly and the further Zn(Mg,Cd,Be)O(S,Se) assembly. Herein Zn(Mg,Cd,Be)O(S,Se) is a II-VI semiconductor satisfying a formula Zn1-a-b-cMgaCdbBecO1-p-qSpSeq, wherein a=0~1, b=0~1, c=0~1, p=0~1, and q=0~1. L'invention concerne une diode électroluminescente (DEL) à structure verticale, comprenant des contacts électriques sur ses côtés opposés et améliorant la luminosité. Selon certains modes de réalisation, cette DEL comprend un composant électroluminescent à semi-conducteur au nitrure développé sur un substrat de saphir, un ensemble Zn(Mg,Cd,Be)O(S,Se) formé sur le composant à semi-conducteur au nitrure, et un autre ensemble Zn(Mg,Cd,Be)O(S,Se) lié au côté opposé du composant électroluminescent, qui est exposé lorsqu'on retire le substrat de saphir. Des contacts électriques peuvent être connectés à l'ensemble Zn(Mg,Cd,Be)O(S,Se) et à l'autre ensemble Zn(Mg,Cd,Be)O(S,Se). Dans le présent abrégé, Zn(Mg,Cd,Be)O(S,Se) est un semi-conducteur II-VI satisfaisant une formule Zn1-a-b-cMgaCdbBecO1-p-qSpSeq, dans laquelle a=0~1, b=0~1, c=0~1, p=0~1, et q=0~1.