BUMP, METHOD FOR FORMING BUMP, AND METHOD FOR MOUNTING SUBSTRATE HAVING THE BUMP FORMED THEREON

• Main Authors: MIYAIRI, MASAYUKI, OGASHIWA, TOSHINORI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 10.09.2010
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is a bump which has a double-layered structure comprising a first bump layer and a second bump layer, wherein the first bump layer is formed on a substrate and comprises a bulk of a first electrically conductive metal selected from gold, copper and nickel, and the second bump layer is formed on the first bump layer and comprises a sintered body of a powder of a second electrically conductive metal selected from gold and silver. The bulk that constitutes the first bump layer is formed by any one technique selected from a plating technique, a sputtering technique and a CVD technique. The sintered body that constitutes the second bump layer is formed by sintering a metal powder comprising the second electrically conductive metal, wherein the metal powder has a purity of 99.9% by weight or more and an average particle diameter of 0.005 to 1.0 µm. The second bump layer has a Young's modulus 0.1 to 0.4 time lower than that of the first bump layer. La présente invention concerne une bosse dotée d'une structure à deux couches comprenant une première couche de bosse et une seconde couche de bosse. Selon l'invention, la première couche de bosse est formée sur un substrat et comprend un volume d'un premier métal électroconducteur sélectionné parmi de l'or, du cuivre et du nickel. La seconde couche de bosse est formée sur la première couche de bosse et comprend un corps fritté d'une poudre d'un second métal électroconducteur sélectionné parmi de l'or et de l'argent. Le volume qui constitue la première couche de bosse est réalisé suivant une technique quelconque sélectionnée parmi une technique de revêtement métallique, une technique de pulvérisation cathodique et une technique de dépôt chimique en phase vapeur. Le corps fritté qui constitue la seconde couche de bosse est réalisé par frittage d'une poudre métallique contenant le second métal électroconducteur. Selon l'invention, la poudre métallique a une pureté de 99,9 % en poids ou plus et un diamètre de particules moyen de 0,005 à 1,0 µm. La seconde couche de bosse a un module de Young qui est de 0,1 à 0,4 fois inférieur à celui de la première couche de bosse.