RANDOM NUMBER GENERATOR
A random number generation circuit is provided with a MTJ (magnetic tunnel junction) element which can be in a high resistance state corresponding to a first logical value, and can be in a low resistance state corresponding to a second logical value which is different from the first logical value; a...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
12.08.2010
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Summary: | A random number generation circuit is provided with a MTJ (magnetic tunnel junction) element which can be in a high resistance state corresponding to a first logical value, and can be in a low resistance state corresponding to a second logical value which is different from the first logical value; and a control circuit which provides the MTJ element either with a first current to stochastically reverse the MTJ element from the high resistance state to the low resistance state when the MTJ element is in the high resistance state, or with a second current to stochastically reverse the MTJ element from the low resistance state to the high resistance state when the MTJ element is in the low resistance state.
L'invention porte sur un circuit de génération de nombres aléatoires qui comporte un élément à jonction tunnel magnétique (MTJ) qui peut être dans un état de résistance élevée correspondant à une première valeur logique, et peut être dans un état de résistance faible correspondant à une seconde valeur logique qui est différente de la première valeur logique ; et un circuit de commande qui fournit à l'élément MTJ soit un premier courant pour faire repasser de façon stochastique l'élément MTJ de l'état de résistance élevée à l'état de résistance faible lorsque l'élément MTJ est dans l'état de résistance élevée, soit un second courant pour faire repasser de façon stochastique l'élément MTJ de l'état de résistance faible à l'état de résistance élevée lorsque l'élément MTJ est dans l'état de résistance faible. |
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Bibliography: | Application Number: WO2010JP51878 |