DATA STORAGE SYSTEM WITH REMOVABLE MEMORY MODULE HAVING PARALLEL CHANNELS OF DRAM MEMORY AND FLASH MEMORY

A data storage system (400) includes a first circuit board (401), a plurality of sockets (402) coupled to the first circuit board (401), a connector (403) coupled to each of the sockets (402) for coupling each of the sockets (402) to external circuitry, and a plurality of memory modules (100), each...

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Main Author BAXTER, GLENN, A
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 17.06.2010
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Summary:A data storage system (400) includes a first circuit board (401), a plurality of sockets (402) coupled to the first circuit board (401), a connector (403) coupled to each of the sockets (402) for coupling each of the sockets (402) to external circuitry, and a plurality of memory modules (100), each memory module (100) disposed within one of the sockets (402). The memory module (100) includes a circuit board (101 ), an integrated circuit device (130) having configurable resources, DRAM devices (120-129) that form parallel channels of DRAM memory and flash memory devices (140-160) that form parallel channels of flash memory. The memory module (100) also includes an interface (170) electrically coupled to the integrated circuit device (130) for coupling input and output between the integrated circuit device (130) and external circuitry. Un système de mémorisation de données (400) comprend une première carte de circuit intégré (401), une pluralité de prises femelles (402) couplées à la première carte de circuit intégré (401), un connecteur (403) couplé à chacune des prises femelles (402) pour coupler chacune des prises femelles (402) à des éléments de circuit intégré externes, et une pluralité de modules de mémoire (100), chaque module de mémoire (100) étant disposé dans l'une des prises femelles (402). Le module de mémoire (100) comprend une carte de circuit intégré (101), un dispositif de circuit intégré (130) ayant des ressources configurables, des dispositifs de mémoire DRAM (120 à 129) qui forment des canaux parallèles de mémoire DRAM et des dispositifs de mémoire flash (140 à 160) qui forment des canaux parallèles de mémoire flash. Le module de mémoire (100) comprend également une interface (170) couplée électriquement au dispositif de circuit intégré (130) pour coupler une entrée et une sortie entre le dispositif de circuit intégré (130) et les éléments de circuit intégré externes.
Bibliography:Application Number: WO2009US64910