SEMICONDUCTOR CERAMIC AND POSITIVE TEMPERATURE COEFFICIENT THERMISTOR

• Main Authors: NAKAYAMA AKINORI, ABE NAOAKI, GOTO MASATO, KISHIMOTO ATSUSHI, KATSU HAYATO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 17.06.2010
• Subjects: ARTIFICIAL STONE; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CEMENTS; CERAMICS; CHEMISTRY; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDINGMATERIALS; CONCRETE; ELECTRICITY; LIME, MAGNESIA; METALLURGY; REFRACTORIES; RESISTORS; SLAG; TREATMENT OF NATURAL STONE

Disclosed is a semiconductor ceramic which is mainly composed of a BamTiO3 composition having a perovskite structure represented by the following general formula: AmBO3, wherein the constituent elements are blended so that the molar ratio (m) of the site A to the site B is within the range of 1.001 = m = 1.01, a part of Ba constituting the site A is substituted by either Li and/or Na, as well as Bi, Ca and a rare earth element, and when the total mole number of the elements constituting the site A is taken as 1 mole, the Ca content is within the range of 0.05-0.20 (preferably 0.125-0.175) in terms of molar ratio.  Also disclosed is a PTC thermistor wherein a component element (1) is formed from the semiconductor ceramic.  Consequently, the semiconductor ceramic can secure desired PTC characteristics and achieve good reliability, while being a lead-free semiconductor ceramic which does not substantially contain lead. L'invention porte sur une céramique de semi-conducteur qui est principalement composée d'une composition de BamTiO3 ayant une structure de pérovskite représentée par la formule générale suivante : AmBO3, dans laquelle les éléments constitutifs sont mélangés afin que le rapport molaire (m) du site A au site B soit dans l'intervalle de 1,001 = m = 1,01, une partie de Ba constituant le site A est remplacée par Li et/ou Na, ainsi que Bi, Ca et un élément terre rare, et si le nombre total de moles des éléments constituant le site A est pris comme étant de 1 mol, la teneur en Ca est comprise dans l'intervalle de 0,05-0,20 (de préférence 0,125-0,175) en termes de rapport molaire. L'invention porte également sur une thermistance CTP dans laquelle un élément composant (1) est formé à partir de la céramique de semi-conducteur. En conséquence, la céramique de semi-conducteur permet de garantir des caractéristiques de CTP souhaitées et réalise une bonne fiabilité, tout en étant une céramique de semi-conducteur sans plomb qui ne contient sensiblement pas de plomb.