METHOD FOR MANUFACTURING A POWDER FOR THE PRODUCTION OF P-TYPE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS

• Main Authors: HUYBERECHTS, GUIDO, DREES, GRIET, GOEDEME, DAAN
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 17.06.2010
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSESC01D OR C01F; COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM,CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THERARE-EARTH METALS; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OFSOLID INORGANIC COMPOUNDS; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; INORGANIC CHEMISTRY; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

This invention relates to material compositions, a manufacturing method for these materials and a manufacturing method for ceramic bodies, to be used as targets in physical vapour deposition techniques of p-type transparent conductive films. There is disclosed a method for manufacturing a pelletized oxide material Mx Sr1-x Cu2+aO2+b, wherein -0.2=a=0.2, -0.2=b=0.2, and M is either one or more of the group of bivalent elements consisting of Ba, Ra, Mg, Be, Mn, Zn, Pb, Fe, Cu, Co, Ni, Sn, Pd, Cd, Hg, Ca, Ti, V, Cr; with 0=x=0.2; comprising the steps of: - providing a precursor mixture having a given grain size distribution, and comprising stoichiometric quantities of Cu2O, Sr(OH)2.8H2O, and, when 0<x=0.2, M-hydroxide, - intimately mixing said precursor mixture so as to obtain a homogeneous mixture, and - sintering said homogeneous mixture at a temperature above 850° C. The oxide material Sr Cu2+aO2+b has a residual carbon content of less than 400 ppm, and a target having a density of at least 5.30 g/ml can be manufactured with it. Cette invention porte sur des compositions de matière, sur un procédé de fabrication pour ces matières et sur un procédé de fabrication pour des corps en céramique, devant être utilisés comme cibles dans des techniques de dépôt physique en phase vapeur de films conducteurs transparents de type p. L'invention porte sur un procédé pour la fabrication d'une matière d'oxyde compressée en granulés Mx Sr1-x Cu2+aO2+b, dans laquelle -0,2 = a = 0,2, -0,2 = b = 0,2 et M représente un ou plusieurs éléments choisis dans le groupe d'éléments divalents constitué par Ba, Ra, Mg, Be, Mn, Zn, Pb, Fe, Cu, Co, Ni, Sn, Pd, Cd, Hg, Ca, Ti, V, Cr ; avec 0 = x = 0,2 ; comprenant les étapes consistant à : se procurer un mélange précurseur ayant une distribution de la taille des grains donnée et comprenant des quantités stoechiométriques de Cu2O, Sr(OH)2.8H2O et, lorsque 0 < x = 0,2, d'hydroxyde de M ; mélanger intimement ledit mélange précurseur de façon à obtenir un mélange homogène ; et fritter ledit mélange homogène à une température au-dessus de 850°C. La matière d'oxyde Sr Cu2+aO2+b a une teneur en carbone résiduel inférieure à 400 ppm et une cible ayant une densité d'au moins 5,30 g/ml peut être fabriquée avec celle-ci.