DIELECTRIC BARRIER DEPOSITION USING OXYGEN CONTAINING PRECURSOR

• Main Authors: O'NEILL, MARK, LEONARD, SINATORE, DINO, VRTIS, RAYMOND, NICHOLAS, MATZ, LAURA, M
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 10.06.2010
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A method is provided for depositing a dielectric barrier film including a precursor with silicon, carbon, oxygen, and hydrogen with improved barrier dielectric properties including lower dielectric constant and superior electrical properties. This method will be important for barrier layers used in a damascene or dual damascene integration for interconnect structures or in other dielectric barrier applications. In this example, specific structural properties are noted that improve the barrier performance. L'invention concerne un procédé de dépôt d'une pellicule de barrière diélectrique comprenant un précurseur avec du silicium, du carbone, de l'oxygène et de l'hydrogène avec des propriétés de barrière diélectrique améliorées, y compris une constante diélectrique plus faible et des propriétés électriques supérieures. Ce procédé sera important pour les couches de barrière utilisées dans une intégration par damasquinage ou damasquinage double pour les structures d'interconnexion ou dans d'autres applications de barrière diélectrique. Dans cet exemple, on note des  propriétés structurelles spécifiques qui améliorent les performances de la barrière.