FIELD EFFECT TRANSISTOR

• Main Authors: ISHIDA, HIDETOSHI, UEDA, TETSUZO, ANDA, YOSHIHARU
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 10.06.2010
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is an FET having a low on-resistance.  The FET comprises: a first nitride semiconductor layer (103); a second nitride semiconductor layer (104) which is formed on the first nitride semiconductor layer (103) and has a larger band gap energy than the first nitride semiconductor layer (103); a third nitride semiconductor layer (105) which is formed on the second nitride semiconductor layer (104); and a fourth nitride semiconductor layer (106) which is formed on the third nitride semiconductor layer (105) and has a larger band gap energy than the third nitride semiconductor layer (105).  In the FET, a channel is formed at the heterojunction interface between the first nitride semiconductor layer (103) and the second nitride semiconductor layer (104). La présente invention concerne un transistor à effet de champ de faible résistance qui comprend une première couche semi-conductrice en nitrure (103), une deuxième couche semi-conductrice en nitrure (104) formée sur la première couche (103) et dont l'énergie de bande interdite est supérieure à celle de la première couche (103), une troisième couche semi-conductrice en nitrure (105) formée sur la deuxième couche (104), et une quatrième couche semi-conductrice en nitrure (106) formée sur la troisième couche (105) et dont l'énergie de bande interdite est supérieure à celle de la troisième couche (105). Un canal est formé dans le transistor à l'interface d'hétérojonction entre la première couche (103) et la deuxième couche (104).