FIELD EFFECT TRANSISTOR
Disclosed is an FET having a low on-resistance. The FET comprises: a first nitride semiconductor layer (103); a second nitride semiconductor layer (104) which is formed on the first nitride semiconductor layer (103) and has a larger band gap energy than the first nitride semiconductor layer (103);...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
10.06.2010
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Summary: | Disclosed is an FET having a low on-resistance. The FET comprises: a first nitride semiconductor layer (103); a second nitride semiconductor layer (104) which is formed on the first nitride semiconductor layer (103) and has a larger band gap energy than the first nitride semiconductor layer (103); a third nitride semiconductor layer (105) which is formed on the second nitride semiconductor layer (104); and a fourth nitride semiconductor layer (106) which is formed on the third nitride semiconductor layer (105) and has a larger band gap energy than the third nitride semiconductor layer (105). In the FET, a channel is formed at the heterojunction interface between the first nitride semiconductor layer (103) and the second nitride semiconductor layer (104).
La présente invention concerne un transistor à effet de champ de faible résistance qui comprend une première couche semi-conductrice en nitrure (103), une deuxième couche semi-conductrice en nitrure (104) formée sur la première couche (103) et dont l'énergie de bande interdite est supérieure à celle de la première couche (103), une troisième couche semi-conductrice en nitrure (105) formée sur la deuxième couche (104), et une quatrième couche semi-conductrice en nitrure (106) formée sur la troisième couche (105) et dont l'énergie de bande interdite est supérieure à celle de la troisième couche (105). Un canal est formé dans le transistor à l'interface d'hétérojonction entre la première couche (103) et la deuxième couche (104). |
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Bibliography: | Application Number: WO2009JP06038 |