NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: TSURUMI, NAOHIRO, NAKAZAWA, SATOSHI, UEDA, TETSUZO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 29.04.2010
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A nitride semiconductor device comprising: a first nitride semiconductor layer (13); a second nitride semiconductor layer (14) formed on the first nitride semiconductor layer (13) and having a larger band gap than the first nitride semiconductor layer (13); a source electrode (21), drain electrode (22) and gate electrode (23) formed on the second nitride semiconductor layer (14); a high-resistance layer (11) formed below the first nitride semiconductor layer (13); a conductive layer (32) formed in contact with the lower side of the high-resistance layer (11); a lower insulating layer (35) formed below the conductive layer (32); and a bias terminal (31) electrically connected to the conductive layer (32). L'invention concerne un dispositif semi-conducteur au nitrure comprenant : une première couche semi-conductrice au nitrure (13) ; une deuxième couche semi-conductrice au nitrure (14) formée sur la première couche semi-conductrice au nitrure (13) et dont la bande passante est plus large que celle de la première couche semi-conductrice au nitrure (13) ; une électrode de source (21), une électrode de drain (22) et une électrode de gâchette (23) formées sur la deuxième couche semi-conductrice au nitrure (14) ; une couche à forte résistance (11) formée en-dessous de la première couche semi-conductrice au nitrure (13) ; une couche conductrice (32) formée en contact avec le côté inférieur de la couche à forte résistance (11) ; une couche isolante inférieure (35) formée sous la couche conductrice (32) ; et une borne de polarisation (31) connectée électriquement à la couche conductrice (32).