SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: NAKATA, KEN, YAEGASHI, SEIJI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 22.04.2010
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor device has: a GaN semiconductor layer (15) formed on a substrate (10); a gate insulating film (18) composed of an aluminum oxide formed on the surface of the GaN semiconductor layer (15) by using an ALD apparatus; and a gate electrode (24) formed on the gate insulating film (18).  The carbon concentration of the gate insulating film (18) is 2×1020/cm3 or less.  In the semiconductor device, a leak current in the gate insulating film is suppressed and stable FET characteristics can be obtained. The gate insulating film (18) composed of the aluminum oxide is formed by an ALD method by using TMA and O3 having high oxidizing power.  Thus, the carbon concentration in the gate insulating film (18) is reduced and the leak current can be suppressed. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant : une couche semi-conductrice GaN (15) formée sur un substrat ; un film d'isolation de grille (18) composé d'oxyde d'aluminium formé sur la surface de la couche semi-conductrice GaN (15) au moyen d'un appareil ALD ; une électrode  de grille (24) formée sur le film d'isolation de grille (18). La teneur en carbone du film d'isolation de grille (18) est de 2×1020/cm3 ou moins. Dans le dispositif à semi-conducteur, on supprime un courant de fuite dans le film d'isolation de grille et on obtient des caractéristiques de FET stables. Le film d'isolation de grille (18) composé d'oxyde d'aluminium est formé au moyen d'un procédé ALD par utilisation de TMA et de O3 à puissance d'oxydation élevée. En conséquence, la teneur en carbone dans le film d'isolation de grille (18) est réduite et le courant de fuite peut être supprimé.