SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: ITOU, YUTAKA, HIRANO, HIROSHIGE, OTA, YUKITOSHI, KOIKE, KOJI, ISHIKAWA, KAZUHIRO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 15.04.2010
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor device is provided with: an interlayer insulting film (18) formed on a semiconductor substrate (10); metal wiring (20A) for a ring, which is arranged such that the wiring penetrates the interlayer insulating film (18); metal wiring (20B) for contact, which is arranged such that the wiring penetrates the interlayer insulating film (18); a first protecting insulating film (21) formed on the interlayer insulating film (18) and on the entire upper surface of the metal wiring (20A) for the ring; and a metal pad (23) formed on the first protecting insulating film (21).  The wiring (20A) for the ring is arranged in a ring shape in a region at a position below the metal pad (23) on the interlayer insulating film (18).  The metal pad (23) is connected to the metal wiring (20B) for contact through a first opening section (21a) formed on the first protecting insulating film (21). La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui est pourvu de : un film isolant intercouche (18) formé sur un substrat semi-conducteur (10) ; un câblage métallique (20A) pour un anneau, qui est agencé de sorte que le câblage pénètre dans le film isolant intercouche (18) ; un câblage métallique (20B) pour un contact, qui est agencé de sorte que le câblage pénètre dans le film isolant intercouche (18) ; un premier film isolant de protection (21) formé sur le film isolant intercouche (18) et sur la surface supérieure entière du câblage métallique (20A) pour l'anneau ; et un plot métallique (23) formé sur le premier film isolant de protection (21). Le câblage (20A) pour l'anneau est agencé dans une forme annulaire dans une région dans une position en dessous du plot métallique (23) sur le film isolant intercouche (18). Le plot métallique (23) est connecté au câblage métallique (20B) pour un contact par l'intermédiaire d'une première section d'ouverture (21a) formée sur le premier film isolant de protection (21).