WIRING BOARD, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

• Main Authors: NAGAO, KOUICHI, SHIMOISHIZAKA, NOZOMI, NAKAMURA, YOSHIFUMI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 08.04.2010
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is a semiconductor device comprising a semiconductor element (1) having an active component region (1a), a plurality of element electrodes (2) formed on a major surface of the semiconductor element, external terminals (6, 7) connected to one or more element electrodes through bonding members (8, 9), one or more first heat dissipating projections (4) formed on the major surface of the semiconductor element, an insulating resin layer (10) covering the major surface of the semiconductor element and the first heat dissipating projections, and a heat dissipating medium (11) which is in contact with a side of the insulating resin layer opposite from the side which is in contact with the surfaces of the first heat dissipating projections.  At least a part of the active component region is contained in a region below the bottom surfaces of the first heat dissipating projections, and the first heat dissipating projections are not bonded with the external terminals within the active component region.  The thermal conductivity of the first heat dissipating projections is higher than that of the insulating resin layer, and the thickness of the insulating resin layer from the surfaces of the first heat dissipating projections to the heat dissipating medium is thinner than the thickness of the insulating resin layer form the major surface of the semiconductor element to the heat dissipating medium.  Consequently, the speed of heat dissipation from the active component region of the mounted semiconductor element to the heat dissipating medium is improved. L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs comprenant un élément à semi-conducteurs (1) ayant une région de composant actif (1a), une pluralité d'électrodes d'élément (2) formées sur une surface majeure de l'élément à semi-conducteurs, des bornes externes (6, 7) connectées à une ou plusieurs électrodes d'élément par des éléments de liaison (8, 9), une ou plusieurs premières projections de dissipation de chaleur (4) formées sur la surface majeure de l'élément à semi-conducteurs, une couche de résine isolante (10) recouvrant la surface majeure de l'élément à semi-conducteurs et les premières projections de dissipation de chaleur, et un milieu de dissipation de chaleur (11) qui est en contact avec un côté de la couche de résine isolante opposée au côté qui est en contact avec les surfaces des premières projections de dissipation de chaleur. Au moins une partie de la région de composant actif est contenue dans une région au-dessous des surfaces inférieures des premières projections de dissipation de chaleur, et les premières projections de dissipation de chaleur ne sont pas liées aux bornes externes dans la région de composant actif. La conductivité thermique des premières projections de dissipation de chaleur est supérieure à celle de la couche de résine isolante, et l'épaisseur de la couche de résine isolante des surfaces des premières projections de dissipation de chaleur au milieu de dissipation de chaleur est plus mince que l'épaisseur de la couche de résine isolante de la surface majeure de l'élément à semi-conducteurs au milieu de dissipation de chaleur. Par conséquent, la vitesse de dissipation de chaleur de la région de composant actif de l'élément à semi-conducteurs monté vers le milieu de dissipation de chaleur est améliorée.