HIGH-ELECTRICAL-CURRENT WAFER LEVEL PACKAGING, HIGH-ELECTRICAL-CURRENT WLP ELECTRONIC DEVICES, AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF

• Main Authors: JAIN, VIVEK, IZADINIA, MANSOUR, ASHRAFZADEH, AHMAD, R, SAMOILOV, ARKADII, V, KHANDEKAR, VIREN, V, WILCOXEN, DUANE, THOMAS
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 01.04.2010
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention has various aspects relating to the maximization of current carrying capacity of wafer level packaged chip scale solder pad mounted integrated circuits. In one aspect, the solder pad areas are maximized by using rectangular solder pads spaced as close together as reliable mounting to a circuit board will allow. In another aspect, multiple contact pads may be used for increasing the current capacity without using contact pads of different areas. In still another aspect, vias are used to directly connect one lead of high current component or components to a contact pad directly above that component, and to route a second lead of the high current component to an adjacent contact pad by way of a thick metal interconnect layer. La présente invention présente divers aspects liés à la maximisation de l'intensité maximale admissible de circuits intégrés montés sur une plage d'accueil d'une puce encapsulée sur tranches. Selon un aspect, les zones de plage d'accueil sont maximisées en utilisant des plages d'accueil rectangulaires aussi proches les unes des autres que possible de manière à obtenir un montage fiable sur une carte de circuit imprimé. Selon un autre aspect, de multiples plages de contact peuvent être utilisées afin d'augmenter l'intensité du courant sans utiliser de plages de contact de différentes zones. Selon un autre aspect encore, des trous d'interconnexion sont utilisés afin de connecter directement une broche de raccordement d'un ou de plusieurs composants à haute intensité à une plage de contact située directement au-dessus de ce composant, et d'acheminer une seconde broche de raccordement du composant à haute intensité à une plage de contact adjacente au moyen d'une épaisse couche d'interconnexion de métal.