RESIST PROCESSING METHOD AND USE OF POSITIVE RESIST COMPOSITION

A resist processing method wherein a pattern obtained from a resist composition for first resist pattern formation is formed into an extremely fine pattern with high precision by multiple patterning.  The resist processing method comprises a step wherein a first resist composition containing a resin...

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Main Authors YAMAMOTO, SATOSHI, HASHIMOTO, KAZUHIKO, HATA, MITSUHIRO
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 18.03.2010
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Summary:A resist processing method wherein a pattern obtained from a resist composition for first resist pattern formation is formed into an extremely fine pattern with high precision by multiple patterning.  The resist processing method comprises a step wherein a first resist composition containing a resin (A) containing a structural unit represented by formula (XX) and a group unstable to an acid, said resin being insoluble or poorly soluble in an aqueous alkali solution but becoming soluble by the action of an acid, and a photoacid generator (B) is applied and dried on a base; and the resulting is pre-baked, exposed, post-exposure baked and developed, thereby obtaining a first resist pattern; the first resist pattern is hard baked and a second resist composition is applied and dried thereon, thereby obtaining a second resist film; and the resulting is pre-baked, exposed, post-exposure baked and developed, thereby obtaining a second resist pattern. (In the formula, R1a, R3a and R4a each represents an H, a saturated hydrocarbon group or the like, and R2a represents a single bond, a divalent organic group or the like.) L'invention concerne un procédé de traitement protecteur dans lequel un motif obtenu à partir d'une composition protectrice pour une première formation de motif protecteur est formé en un  motif extrêmement fin avec une haute précision par traçage de motifs multiples.  Le procédé de traitement protecteur comprend une étape dans laquelle une première composition protectrice contenant une résine (A) contenant une unité structurale représentée par la formule (XX) et un groupe instable vers un acide, ladite résine étant insoluble ou faiblement soluble dans une solution alcaline aqueuse mais devenant soluble par l'action d'un acide, et un générateur photoacide (B) est appliqué et séché sur une base ; et le résultat est précuit, exposé, cuit après exposition et développé, obtenant ainsi un premier motif protecteur ; le premier motif protecteur est soumis à une cuisson dure et une deuxième composition protectrice est appliquée et séchée dessus, obtenant ainsi une deuxième pellicule protectrice ; et le résultat est précuit, exposé, cuit après exposition et développé, obtenant ainsi un deuxième motif protecteur. (Dans la formule, R1a, R3a et R4a représentent chacun un H, un groupe hydrocarbure saturé ou similaire, et R2a représente une liaison simple, un groupe organique divalent ou similaire.)
Bibliography:Application Number: WO2009JP65628