LIGHT EMITTING ELEMENT

• Main Authors: SATOH, EIICHI, ONO, MASAYUKI, ODAGIRI, MASARU, TANIGUCHI, REIKO, SHIMAMURA, TAKAYUKI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 04.03.2010
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A light emitting element is provided with a pair of an anode and a cathode facing each other, and a light emitting layer which is sandwiched between the pair of the anode and the cathode from a direction vertical to the main surfaces of the anode and the cathode and is composed of a plurality of light emitting particles. The light emitting particles are nitride semiconductor light emitting particles each of which has a wurtzite crystalline structure which includes an n-type nitride semiconductor portion and a p-type nitride semiconductor portion. The n-type nitride semiconductor portion is brought into contact with the cathode, and the p-type nitride semiconductor portion is brought into contact with the anode. The c-axes of the respective crystalline structures of the n-type nitride semiconductor portion and the p-type nitride semiconductor portion are parallel to each other, and the n-type nitride semiconductor portion and the p-type nitride semiconductor portion are brought into contact with each other on a surface parallel to the c-axes. La présente invention concerne un élément électroluminescent qui est pourvu d'une anode et d'une cathode se faisant face et d'une couche électroluminescente qui est intercalée entre l'anode et la cathode à partir d'une direction verticale par rapport aux surfaces principales de l'anode et de la cathode et qui est composée d'une pluralité de particules électroluminescentes. Lesdites particules sont des particules électroluminescentes semi-conductrices en nitrure, chacune d'elles présentant une structure cristalline de wurtzite qui comprend une partie semi-conductrice en nitrure de type n et une partie semi-conductrice en nitrure de type p. La partie semi-conductrice en nitrure de type n est amenée en contact avec la cathode et la partie semi-conductrice en nitrure de type p est amenée en contact avec l'anode. Les axes c des structures cristallines respectives de la partie semi-conductrice en nitrure de type n et de la partie semi-conductrice en nitrure de type p sont parallèles entre eux, et la partie semi-conductrice en nitrure de type n et la partie semi-conductrice en nitrure de type p sont amenées en contact l'une avec l'autre sur une surface parallèle aux axes c.