MAGNETORESISTIVE STORAGE DEVICE

• Main Author: KATOU YUUKOU
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 25.02.2010
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; STATIC STORES

A magnetoresistive storage device includes: a first structure (6), a second structure (9), a temperature increase means (11), and a magnetization direction setting means (12).  The first structure (6) is formed by a first magnetic body (1) having a fixed magnetization direction, a first non-magnetic body (2), and a second magnetic body (3) having a magnetization state changed by data which are layered on one another.  The second structure (9) is formed by antiferromagnetic material (7) and a third magnetic body (8) which are layered on each other.  The temperature increase means (11) increases the temperature of the antiferromagnetic material (7) to a desired temperature.  The magnetization direction setting means (12) orients the magnetization direction of the third magnetic body (8) to a desired direction.  The antiferromagnetic material (7) is exchange-coupled to the third magnetic body (8).  The second magnetic body (3) is magnetically coupled to the third magnetic body (8). Selon l'invention, un dispositif de stockage magnétorésistif comprend : une première structure (6), une seconde structure (9), un moyen d'augmentation de température (11) et un moyen de réglage de direction de magnétisation (12). La première structure (6) est formée par un premier corps magnétique (1), ayant une direction de magnétisation fixe, un premier corps non magnétique (2) et un second corps magnétique (3) ayant un état de magnétisation changé par des données, qui sont disposés en couche les uns sur les autres. La seconde structure (9) est formée par un matériau antiferromagnétique (7) et un troisième corps magnétique (8) qui sont disposés en couche l'un sur l'autre. Le moyen d'augmentation de température (11) augmente la température du matériau antiferromagnétique (7) à la température voulue. Le moyen de réglage de direction de magnétisation (12) oriente la direction de magnétisation du troisième corps magnétique (8) dans la direction voulue. Le matériau antiferromagnétique (7) est couplé par échange au troisième corps magnétique (8). Le second corps magnétique (3) est couplé de manière magnétique au troisième corps magnétique (8).