COPPER POWDER FOR CONDUCTIVE PASTE, AND CONDUCTIVE PASTE

A copper powder for a conductive paste contains 0.1 atm%-10 atm% of Si (silicon) and 0.1 atm%-10 atm% of In in the particle.  It is preferable that the copper powder for a conductive paste contains 0.1 atm%-10 atm% of Ag (silver) in the particle.  It is also preferable that the copper powder for a c...

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Main Authors UWAZUMI YOSHIAKI, YOSHIMARU KATSUHIKO, OTA KOYU, MIYAKE KOICHI, KURIMOTO TORU
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 14.01.2010
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Summary:A copper powder for a conductive paste contains 0.1 atm%-10 atm% of Si (silicon) and 0.1 atm%-10 atm% of In in the particle.  It is preferable that the copper powder for a conductive paste contains 0.1 atm%-10 atm% of Ag (silver) in the particle.  It is also preferable that the copper powder for a conductive paste contains 0.01 atm%-0.5 atm% of P (phosphorus).  The ratio of Si/In (atm ratio) is preferably 0.5-5.  The copper powder for a conductive paste is preferably manufactured by an atomization method. L'invention porte sur une poudre de cuivre pour une pâte conductrice, laquelle poudre contient 0,1 % atomique - 10 % atomique de Si (silicium) et 0,1 % atomique -10 % atomique d'In dans la particule. Il est préférable que la poudre de cuivre pour pâte conductrice contienne 0,1 % atomique - 10 % atomique d'Ag (argent) dans la particule. Il est également préférable que la poudre de cuivre pour pâte conductrice contienne 0,01 % atomique - 0,5 % atomique de P (phosphore). Le rapport Si/In (rapport atomique) est, de préférence, de 0,5-5. La poudre de cuivre pour pâte conductrice est, de préférence, fabriquée par un procédé d'atomisation.
Bibliography:Application Number: WO2009JP61241