COPPER POWDER FOR CONDUCTIVE PASTE, AND CONDUCTIVE PASTE
A copper powder for a conductive paste contains 0.1 atm%-10 atm% of Si (silicon) and 0.1 atm%-10 atm% of In in the particle. It is preferable that the copper powder for a conductive paste contains 0.1 atm%-10 atm% of Ag (silver) in the particle. It is also preferable that the copper powder for a c...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
14.01.2010
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Summary: | A copper powder for a conductive paste contains 0.1 atm%-10 atm% of Si (silicon) and 0.1 atm%-10 atm% of In in the particle. It is preferable that the copper powder for a conductive paste contains 0.1 atm%-10 atm% of Ag (silver) in the particle. It is also preferable that the copper powder for a conductive paste contains 0.01 atm%-0.5 atm% of P (phosphorus). The ratio of Si/In (atm ratio) is preferably 0.5-5. The copper powder for a conductive paste is preferably manufactured by an atomization method.
L'invention porte sur une poudre de cuivre pour une pâte conductrice, laquelle poudre contient 0,1 % atomique - 10 % atomique de Si (silicium) et 0,1 % atomique -10 % atomique d'In dans la particule. Il est préférable que la poudre de cuivre pour pâte conductrice contienne 0,1 % atomique - 10 % atomique d'Ag (argent) dans la particule. Il est également préférable que la poudre de cuivre pour pâte conductrice contienne 0,01 % atomique - 0,5 % atomique de P (phosphore). Le rapport Si/In (rapport atomique) est, de préférence, de 0,5-5. La poudre de cuivre pour pâte conductrice est, de préférence, fabriquée par un procédé d'atomisation. |
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Bibliography: | Application Number: WO2009JP61241 |